技術中心
| 那種原因會影響真空鍍膜機iTO薄膜 |
| 發布時間：2014-08-15 瀏覽： 次 |
|
ITO薄膜在濺鍍過程中會產生不同的特性，有時候表面光潔度比較低，出現“麻點”的現象，有時候會出現高蝕間隔帶。 在蝕刻時還會出現直線放射型缺劃或電阻偏高帶，有時候會出現微晶溝縫。 各種特性的產生一般取決于靶材和玻璃的選用，濺鍍時所使用的溫度和運動方式。 當前常用的ITO靶材制作是通過燒結法生產的，就是由氧化銦(In2O3)和氧化錫(SnO2)粉末按照一定的比例進行混合，通常質量比是90%In2O3和10% SnO2，再通過一系列的生產工藝加工成型后，以1400℃～1600℃高溫通氧氣燒結，最終形成的黑灰色陶瓷半導體(氧化銦錫，ITO)。 一般通過外觀就可以了解ITO靶材的質量，深灰色是最好的，相反越黑質量越差，我國生產的ITO靶材質量還可以的是黑灰色的。 經過研究，在真空鍍膜機ITO薄膜濺鍍過程中，使用磁控濺射的方式，基底溫度控制在200℃左右可以保證薄膜85%以上高可見光透過率下，電阻率達到最低，而薄膜的結晶度也隨著基底溫度的提高而提高，晶粒尺寸也逐漸增大。 超過200℃后透射率趨于減弱;使用電子束蒸鍍的方式，隨著退火溫度升高，晶粒尺寸變大，表面形貌均一穩定，超過600℃后顆粒變得大小不一，形狀各異，小顆粒團聚現象嚴重，薄膜表面形貌破壞。 本文由愛加真空(http://www.bnzr.net.cn/)整理，我公司專業維修各種進口真空鍍膜設備，技術好，服務周到，價格實惠，歡迎來電咨詢! 相關閱讀 |
  |