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| 極高真空技術(shù)的應(yīng)用 |
| 發(fā)布時間：2014-10-28 瀏覽： 次 |
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運用極高真空技術(shù)，可能獲得10 ^-IOPa以下的壓力，在此環(huán)境中，氣體分子非常稀薄，分子密度小于104個/cm3，分子平均自由程大于108ni，氣體分子的碰壁數(shù)減小到108/cm2.s。 由于極高真空環(huán)境具有極低壓力和極清潔的特性，它被虛用到許多科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域中去。然而極高真空度不但很難獲得和測量，而且制造成本和運行成本非常昂貴，使得該項技術(shù)的應(yīng)用受到很大限制，目前僅應(yīng)用在高新尖端技術(shù)領(lǐng)域中。 ①高能粒子加速器。高能粒子加速器一般采用分段同步加速的方法。為了把粒子加速到很高能量，需要粒子在真空管道中不斷做加速運動，粒子在真空管道中運動的路程愈長，被加速粒子所得到的能量愈高。在正、負質(zhì)子，正、負電子對撞加速器中，不同電荷的正、負質(zhì)子及電子沿相反方向在加速束流管道中做循環(huán)運動。 為了增加正、負粒子對撞的反應(yīng)概率，要求粒子束長時間的貯存積累，達到對撞時所需要的束流強度。粒子長時間或長路程的在加速束流管道中作被加速運動時，如果和加速束流管道中的粒子和空間殘余的氣體分子發(fā)生碰撞，會減小束流強度。 一般正、負電子對撞機要求壓力10^-8 -10 ^-9Pa，正、負質(zhì)子對撞機加速器要求壓力10^ - 10 Pa以下。我國北京高能物理所的正、負電子對撞加速器及蘭州近代物理所的重離子加速器(冷卻環(huán))的束流管道的真空度到10^ -9Pa。 歐洲聯(lián)合核子研究中心(CDRN)建造的正、負質(zhì)子定義貯存環(huán)加速器真空度優(yōu)于10^-lOPa。 ②分子束外延技術(shù)用來生長極純半導(dǎo)體單品材料。半導(dǎo)體晶體材料的光電性能對外來雜質(zhì)分子極為敏感。在單晶生長過程中，除材料本身要求純度高外，在制造過程中，不要引入環(huán)境的雜質(zhì)分子，因而要在極高真空環(huán)境下生長晶體。分子束外延設(shè)備中晶體生長室的壓力在10 ^-9Pa。當(dāng)然壓力更低些最好。 這樣低的壓力條件在地面很難實現(xiàn)。科學(xué)家又提出了利用太空清潔環(huán)境生長極純材料的思想。 利用近地球軌道分子屏技術(shù)，可以實現(xiàn)10^ -llPa的極高真空環(huán)境。我們提出的可變翼軌道分子屏的設(shè)計，可以在近地球軌道獲得10^ -12Pa的軌道分子屏空間實驗室。 美國科學(xué)家利用航天飛機進行了5次空間GaAs晶體外延生長實驗，就是應(yīng)用軌道分子屏技術(shù)，取得了滿意的結(jié)果。 ③在航天技術(shù)領(lǐng)域也開始應(yīng)用極高真空技術(shù)。遠離地球的深遠宇宙太空處于極高真空狀態(tài)。該環(huán)境不斷和航天器發(fā)生相互作用，產(chǎn)生一些地面環(huán)境不能發(fā)生的效應(yīng)和問題。 使航天器出現(xiàn)故障，降低航天器的可靠性。在極高真空中氣體分子的碰壁數(shù)很小。 航天器表面的氣體不斷放出，表面愈來愈清潔。幾乎成為沒有吸附氣體分子的超清潔表面。兩個超清潔表面接觸在一起，經(jīng)過加壓，在不加熱的情況下可以發(fā)生粘著，焊接現(xiàn)象，叫做“冷焊”。 對于活動部件來說，摩擦系數(shù)變大，甚至粘著、焊*。為消除此類機械故障，人們需要預(yù)先在地面進行模擬試驗，采取防范措施。 但由于極高真空度僅為10^-9Pa.尚不能真實地模擬宇宙深空環(huán)境。隨著極高真空技術(shù)的發(fā)展，應(yīng)用極高真空技術(shù)的領(lǐng)域?qū)粩嗟財U展。 東莞愛加真空專業(yè)提供超高真空系統(tǒng)和超低溫設(shè)備升級改造，維修服務(wù)，歡迎來電咨詢！ 推薦閱讀 |
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