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| PVD混合運用技術 |
| 發布時間：2014-12-10 瀏覽： 次 |
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真空蒸鍍、濺射鍍膜、離子鍍膜各種沉積手段及方法混合運用是PVD技術最新進展之一，經過多種離子源的組合運用，可以解決單一沉積手段的缺點，獲得良好的效果，比如離子鍍，采用脈沖激光作為蒸發源，然后對蒸汽進行等離子體化，加上負偏壓，不但可以提高沉積速率，還可以改善沉積粒子的活性，提高沉積能量。 在蒸鍍中，采用熱絲電子發射，使蒸汽原子離化，就可以對基片加上偏壓，獲得具有轟擊效果的沉積膜層。 真空陰極電弧和磁控濺射技術組合在一起進行同時沉積的技術，也是近年來應用工業生產中的一種復合技術，其設備稱為多弧一磁控濺射多功能鍍膜機，用于離子摻金鍍膜。 真空鍍膜室內安裝數個陰極蒸發源，陰極為鈦或鋯，中間裝有柱狀磁控濺射靶，靶材為金。首先按照多弧離子鍍的工藝參數和操作規程在鍍件上沉積TiN(或ZrN)鍍層，再開啟磁控濺射靶涂鍍(TiAu)N涂層，從而得到TiN +(TiAu)N的復合膜。 最后關閉多弧蒸發源的供電電源，使多弧蒸發源停止工作，只用磁控濺射法在被鍍件表面的最外一層沉積Au，則可得到TiN十(TiAu)N+ Au的多層復合膜。 摻金后的被鍍件經過耐腐蝕性和耐磨性試驗和測試，膜仍保持完整，膜層成分在摩擦前后基本保持一致：摩擦前Au為97.59%，Ti為2.41 %，摩擦后Au為95.46%，Ti為4.54%。摩擦條件是在1000g載荷下，在ML-10磨損試驗機上摩擦，往復次數為500次，摩擦蹤距離為9.42km。 復合式離子鍍膜設備采用孿生靶的先進技術，克服直流濺射固有的靶中毒、打火等不良弊病，可以鍍制諸如A1203、Si02氧化優質膜，使鍍件的抗氧化耐蝕性能又有所提高和改善。 復合式真空離子鍍膜設備，中心安裝柱狀多弧靶，靶材為鈦或鋯。 它不但能保持多弧技術離化率高、沉積速率快的特點，還能有效地降低小平面多弧靶沉積過程中很難避免的“液滴”的缺陷，從而可以制備出低孔隙率的金屬薄膜或化合物薄膜;在周邊安裝了孿生平面磁控，靶材為鋁或硅，可以鍍A1203或Si02金屬陶瓷膜;另外，在周邊還安裝了多個小平面多弧蒸發源，靶材為鉻或鎳，可以鍍制多層金屬膜和多層復合膜。 復合式離子鍍膜設備由于具有多種不同形式鍍膜裝置及不同材質的蒸發源及濺射靶，它們既可以獨立地分別工作又可以同時工作，既能制備純金屬膜又能制備金屬化合物膜或復合材料膜;既能制備單層薄膜又能制備多層復合膜，用途極其廣泛。 推薦閱讀 |
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