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| 真空鍍膜技術英文術語 |
| 發布時間：2014-12-18 瀏覽： 次 |
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6.1一般術語 6.1.1真空鍍膜vacuum coating在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。 6.1.2基片substrate膜層承受體。 6.1.3試驗基片testing substrate在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結束后用作測量和或試驗的基片。 6.1.4鍍膜材料coating material用來制取膜層的原材料。 6.1.5蒸發材料evaporation material在真空蒸發中用來蒸發的鍍膜材料。 6.1.6濺射材料sputtering material有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。 6.1.7膜層材料(膜層材質)film material狀干膜層的材料。 6.1.8蒸發速率evaporation rate在給定時間間隔內蒸發出來的材料量除以該時間間隔 6.1.9濺射速率sputtering rate在給定時間間隔內濺射出來的材料量除以該時間間隔。 6.1.10沉積速率deposition rate在給定時間間隔內沉積在基片上的材料量除以該時間間隔和基片表面積。 6.1.11鍍膜角度coating angle入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。 6.2工藝 6.2.1真空蒸膜vacuum evaporation coating使鍍膜材料蒸發的真空鍍膜過程。 6.2.1.1同時蒸發simultaneous evaporation用數個蒸發器把各種蒸發材料同時蒸鍍到基片上的真空蒸發。 6.2.1.2蒸發場蒸發evaporation field evaporation由蒸發場同時蒸發的材料到基片上進行蒸鍍的真空蒸發(此工藝應用于大面積蒸發以獲得到理想的膜厚分布)。 6.2.1.3反應性真空蒸發reactive vacuum evaporation通過與氣體反應獲得理想化學成分的膜層材料的真空蒸發。 6.2.1.4蒸發器中的反應性真空蒸發reactive vacuum evaporation in evaporator與蒸發器中各種蒸發材料反應而獲得理想化學成分膜層材料的真空蒸發。 6.2.1.5直接加熱的蒸發direct heating evaporation蒸發材料蒸發所必須的熱量是對蒸發材料(在坩堝中或不用坩堝)本身加熱的蒸發。 6.2.1.6感應加熱蒸發induced heating evaporation蒸發材料通過感應渦流加熱的蒸發。 6.2.1.7電子束蒸發electron beam evaporation通過電子轟擊使蒸發材料加熱的蒸發。 6.2.1.8激光束蒸發laser beam evaporation通過激光束加熱蒸發材料的蒸發。 6.2.1.9間接加熱的蒸發indirect heating evaporation在加熱裝置(例如小舟形蒸發器坩堝燈絲加熱板加熱棒螺旋線圈等)中使蒸發材料獲得蒸發所必須的熱量并通過熱傳導或熱輻射方式傳遞給蒸發材料的蒸發。 6.2.1.10閃蒸flash evaportion將極少量的蒸發材料間斷地做瞬時的蒸發。 6.2.2真空濺射vacuum sputtering在真空中惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子分子或原子團的過程。 6.2.2.1反應性真空濺射 reactive vacuum sputtering通過與氣體的反應獲得理想化學成分的膜層材料的真空濺射。 6.2.2.2 偏壓濺射bias sputtering在濺射過程中將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。 6.2.2.3 直流二級濺射direct current diode sputtering通過二個電極間的直流電壓使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。 6.2.2.4非對稱性交流濺射asymmtric alternate current sputtering通過二個電極間的非對稱性交流電壓使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。 6.2.2.5高頻二極濺射high frequency diode sputtering通過二個電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負電位的濺射。 6.2.2.6熱陰極直流濺射三極型濺射hot cathode direct current sputtering借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電氣體放電所產生的離子由在陽極和陰極靶之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。 6.2.2.7 熱陰極高頻濺射三極型濺射hot cathode high frequency sputtering借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電氣體放電產生的離子在靶表面負電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。 6.2.2.8離子束濺射ion beam sputtering利用特別的離子源獲得的離子束使靶的濺射。 6.2.2.9輝光放電清洗glow discharge cleaning利用輝光放電原理使基片以及膜層表面經受氣體放電轟擊的清洗過程。 6.2.3物理氣相沉積PVD physical vapor deposition在真空狀態下鍍膜材料經蒸發或濺射等物理方法氣化沉積到基片上的一種制取膜層的方法。 6.2.4化學氣相沉積CVD chemical vapor deposition一定化學配比的反應氣體在特定激活條件下通常是一定高的溫度通過氣相化學反應生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方法。 6.2.5磁控濺射magnetron sputtering借助于靶表面上形成的正交電磁場把二次電子束縛在靶表面特定區域來增強電離效率增加離子密度和能量因而可在低電壓大電流取得很高濺射速率。 6.2.6 等離子體化學氣相沉積PCVD plasma chemistry vapor deposition通過放電產生的等離子體促進氣相化學反應在低溫下在基片上制取膜層的一種方法。 6.2.7空心陰極離子鍍HCD hollow cathode discharge deposition 利用空心陰極發射大量的電子束使坩堝內鍍膜材料蒸發并電離在基片上的負偏壓作用下離子具有較大能量 沉積在基片表面上的一種鍍膜方法。 6.2.8電弧離子鍍arc discharge deposition以鍍膜材料作為靶極借助于觸發裝置使靶表面產生弧光放電鍍膜材料在電弧作用下產生無熔池蒸發并沉積在基片上的一種鍍膜方法。 6.3專用部件 6.3.1鍍膜室coating chamber真空鍍膜設備中實施實際鍍膜過程的部件 6.3.2蒸發器裝置evaporator device真空鍍膜設備中包括蒸發器和全部為其工作所需要的裝置(例如電能供應、供料和冷卻裝置等)在內的部件。 6.3.3蒸發器evaporator蒸發直接在其內進行蒸發的裝置例如小舟形蒸發器坩堝燈絲加熱板加熱棒螺旋線圈等等必要時還包括蒸發材料本身。 6.3.4直接加熱式蒸發器evaporator by direct heat蒸發材料本身被加熱的蒸發器。 6.3.5間接加熱式蒸發器evaporator by indirect heat蒸發材料通過熱傳導或熱輻射被加熱的蒸發器。 6.3.6蒸發場evaporation field由數個排列的蒸發器加熱相同蒸發材料形成的場。 6.3.7濺射裝置sputtering device包括靶和濺射所必要的輔佐裝置(例如供電裝置氣體導入裝置等)在內的真空濺射設備的部件。 6.3.8靶target用粒子轟擊的面。本標準中靶的意義就是濺射裝置中由濺射材料所狀干的電極。 6.3.9擋板shutter用來在時間上和(或)空間上限制鍍膜并借此能達到一定膜厚分布的裝置。擋板可以是固定的也可以是活動的。 6.3.10時控擋板timing shutter在時間上能用來限制鍍膜因此從鍍膜的開始、中斷到結束都能按規定時刻進行的裝置。 6.3.11掩膜mask用來遮蓋部分基片在空間上能限制鍍膜的裝置。 6.3.12基片支架substrate holder可直接夾持基片的裝置例如夾持裝置框架和類似的夾持器具。 6.3.13夾緊裝置clamp在鍍膜設備中用或不用基片支架支承一個基片或幾個基片的裝置例如夾盤夾鼓球形夾罩夾籃等。夾緊裝置可以是固定的或活動的(旋轉架行星齒輪系等)。 6.3.14換向裝置reversing device在真空鍍膜設備中不打開設備能將基片、試驗玻璃或掩膜放到理想位置上的裝置(基片換向器試驗玻璃換向器掩膜換向器)。 6.3.15基片加熱裝置substrate heating device在真空鍍膜設備中通過加熱能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝置。 6.3.16基片冷卻裝置substrate colding device在真空鍍膜設備中通過冷卻能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝置。 6.4真空鍍膜設備 6.4.1真空鍍膜設備vacuum coating plant在真空狀態下制取膜層的設備。 6.4.1.1真空蒸發鍍膜設備vacuum evaporation coating plant借助于蒸發進行真空鍍膜的設備。 6.4.1.2真空濺射鍍膜設備vacuum sputtering coating plant借助于真空濺射進行真空鍍膜的設備。 6.4.2連續鍍膜設備continuous coating plant被鍍膜物件單件或帶材連續地從大氣壓經過壓力梯段進入到一個或數個鍍膜室再經過相應的壓力梯段繼承離開設備的連續式鍍膜設備。 6.4.3半連續鍍膜設備semi- continuous coating plant被鍍物件通過閘門送進鍍膜室并從鍍膜室取出的真空鍍膜設備。
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