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| 射頻濺射技術(shù)分析 |
| 發(fā)布時間：2015-01-19 瀏覽： 次 |
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射頻濺射就是利用射頻放電等離子體里面的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術(shù)，和鍍膜技術(shù)又不是一樣的。 真空鍍膜設(shè)備公司介紹，使用交流電源代替直流電源就構(gòu)成了交流濺射系統(tǒng)，因為常用的交流電源的頻率在射頻段。 如13.56MHz，所以稱為射頻濺射。 在直流濺射裝置中，若采用絕緣材料靶的時候，轟擊靶面得正離子會在靶面上累積，使其帶正電，靶電位從而上升，使得電極間的電場逐漸變小，直至輝光放電熄滅和濺射停止，所以直流濺射裝置不能用來濺射沉積絕緣介質(zhì)薄膜。 為濺射沉積絕緣材料，人們可以將直流電源換成交流電源，因為交流電源的正負性發(fā)生周期交替，當濺射靶處于正半周時，電子流向靶面，中和其表面積累的正電荷，并且積累電子，使其表面呈現(xiàn)負偏壓，導致在射頻電壓的負半周期時吸引正離子轟擊靶材，從而實現(xiàn)濺射。 由于離子比電子質(zhì)量大，遷移率小，不像電子那樣很快地向靶表面集中，所以靶表面的點位上升緩慢，由于在靶上會形成負偏壓，所以射頻濺射裝置也可以濺射導體靶。 在射頻濺射裝置中，等離子體里面的電子很容易在射頻場中吸收能量并在電場內(nèi)振蕩，因此，電子與工作氣體分子碰撞并使之電離產(chǎn)生離子的概率變大，故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。
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